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HAT2175H-EL-E中文资料

HAT2175H-EL-E图片

HAT2175H-EL-E外观图

  • 大小：89.41KB
  • 厂家：RENESAS [Renesas Technology Corp]
  • 描述：Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：42 毫欧 @ 7.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1445pF @ 10V
  • 功率 - 最大：15W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-100，SOT-669
  • 供应商设备封装：LFPAK
  • 包装：带卷 (TR)

HAT2175H-EL-E供应商

更新时间:2023-01-26 13:49:58
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